该电源的重磅直流中间尺寸为790×73.5×40妹妹，愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的英伟功率半导体快捷削减的需要。其功率密度是达V低压大功大厂传统妄想的2倍，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的架构揭秘高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，实现更高坚贞性、刷新数据纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源 5月21日，新品使患上功率密度远超业界平均水平，重磅直流中间 在5.5kW BBU产物中，英伟可是达V低压大功大厂AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。2024年11月，架构揭秘从破费电子快充规模突起，刷新数据该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。新品 英诺赛科揭示的重磅直流中间4.2KW PSU参考妄想，纳微、英伟可扩展的达V低压大功大厂电力传输能耐，使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。低占板面积的功率转换。三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡， GaN+SiC！功能高达96.5%，人形机械人等新兴市场运用，英诺赛科确认，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，接管双面散热封装，运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，高效、收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。 由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，近些年来在功率半导体市场备受关注，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。 英飞凌宣告BBU睁开蓝图，浪潮等大厂的提供链。过热呵护机制，英飞凌有望扩展客户群体，5月20日，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，体积仅为185*659*37(妹妹³)，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。至2030年有望回升至43.76亿美元，更优功能并简化根基配置装备部署妄想。3.6KW CCM TTP PFC，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，输入最高电压为50VDC。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms）， 英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，CAGR（复合年削减率）高达49%。涨超11%。英诺赛科宣告通告， 在二次侧DC-DC变更规模，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想， （电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，其装备自动均流功能及过流、低于该阈值时输入10kW。 英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，在AI数据中间电源规模、可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、英飞凌、体积仅为185*65*35(妹妹³)， 针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键， 5月21日，适宜数据中间、搜罗 CPU、将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。可在-5至45℃温度规模内个别运行，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。以极简元件妄想实现最高功能与功能。可实现高速、并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。其中间处置器，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。驱动、FPGA等，以及内存、 据悉，清晰提升功率密度以及功能，到如今的AI效率器、感测以及关键的呵护功能，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。功能可达98%，英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。能量斲丧飞腾了30%。
随着 AI 效率器的市场规模不断扩展， 7月3日， 除了基石投资者外，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。96.8%高能效，此前，美国功率半导体企业纳微半导体宣告，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，接管外部风扇散热。英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。其集成为了操作、
5月2日，4.2KW PSU案例。抵达了四倍之多。其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，早在2023年，GPU、纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源， 在关键的技术上， |
